Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

Taiwan Semiconductor Corporation

SF38GHB0G

partiture parte: 122

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF1050HC0G

partiture parte: 107

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRA2020 C0G

partiture parte: 78

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRA1030HC0G

partiture parte: 109

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRA1060HC0G

partiture parte: 108

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR003 A0G

partiture parte: 171

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF4002 R1G

partiture parte: 112

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR1203HA0G

partiture parte: 103

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HER601G R0G

partiture parte: 96

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 6A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

HT11G A0G

partiture parte: 89

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR1050HC0G

partiture parte: 111

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR803 B0G

partiture parte: 136

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR510HA0G

partiture parte: 95

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ESGLW RQG

partiture parte: 144

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFT14G A0G

partiture parte: 93

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR503 B0G

partiture parte: 98

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR505 A0G

partiture parte: 121

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HER103G B0G

partiture parte: 141

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF45G A0G

partiture parte: 151

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR505HA0G

partiture parte: 165

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRA2030HC0G

partiture parte: 90

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRA1090 C0G

partiture parte: 87

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFA1006G C0G

partiture parte: 145

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF850HC0G

partiture parte: 117

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR320 B0G

partiture parte: 174

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

F1T2GHA1G

partiture parte: 89

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

HER207G A0G

partiture parte: 80

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAS2050 MNG

partiture parte: 139

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF42GHB0G

partiture parte: 79

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF890 C0G

partiture parte: 101

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist

Taiwan Semiconductor Corporation

SF12GHA0G

partiture parte: 91

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF4007HR1G

partiture parte: 93

Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRA850HC0G

partiture parte: 110

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist

Taiwan Semiconductor Corporation

SR002 B0G

partiture parte: 173

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MUR4L60 A0G

partiture parte: 149

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.28V @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR805 B0G

partiture parte: 157

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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