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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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RS1KL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1KL MHG

partiture parte: 173

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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RS1DLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DLHMTG

partiture parte: 199

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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S1GLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GLHM2G

partiture parte: 187

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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S1BL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1BL RHG

partiture parte: 218

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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RS1JL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1JL MQG

partiture parte: 212

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 250ns,

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SS315HR7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS315HR7G

partiture parte: 185

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RSFJLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFJLHMTG

partiture parte: 216

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 250ns,

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S1BLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1BLHRUG

partiture parte: 144

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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RSFKL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFKL RHG

partiture parte: 149

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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HS1GL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1GL MQG

partiture parte: 176

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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SS16LHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS16LHMQG

partiture parte: 229

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RS1BL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1BL M2G

partiture parte: 154

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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SSL33HR7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL33HR7G

partiture parte: 188

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 410mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ES1FLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1FLHMTG

partiture parte: 184

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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RS1DL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DL M2G

partiture parte: 181

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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RSFDLHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFDLHMQG

partiture parte: 189

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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SK515CHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK515CHR7G

partiture parte: 161

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RSFBLHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFBLHMHG

partiture parte: 145

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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SS115LHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS115LHRVG

partiture parte: 197

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ES1BL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1BL MHG

partiture parte: 187

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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HS1AL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1AL RTG

partiture parte: 231

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

Wishlist
RS1DLHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DLHRHG

partiture parte: 218

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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SS215LHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS215LHRHG

partiture parte: 222

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
RS1KLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1KLHMTG

partiture parte: 143

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

Wishlist
SS12LHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS12LHRHG

partiture parte: 160

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 450mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
ES1JL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1JL RFG

partiture parte: 191

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SS26LHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS26LHMTG

partiture parte: 232

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
SS210L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS210L RTG

partiture parte: 155

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
ES1BLHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1BLHMHG

partiture parte: 225

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SS210L MHG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS210L MHG

partiture parte: 153

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ES1AL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1AL RFG

partiture parte: 200

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

Wishlist
RS1JLHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1JLHRHG

partiture parte: 147

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 250ns,

Wishlist
S1KL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1KL MHG

partiture parte: 151

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

Wishlist
SS13LHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS13LHRUG

partiture parte: 221

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS23LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS23LHRTG

partiture parte: 186

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ES1AL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1AL RUG

partiture parte: 186

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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