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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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RSFGL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFGL MQG

partiture parte: 219

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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SS12L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS12L RFG

partiture parte: 176

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 450mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S1GL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GL RFG

partiture parte: 226

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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ES1HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1HM2G

partiture parte: 173

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 500V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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ES1DL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1DL RHG

partiture parte: 216

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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RS1DL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DL MTG

partiture parte: 212

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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RS1ALHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1ALHMTG

partiture parte: 209

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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S1JL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1JL MHG

partiture parte: 222

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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ES1AL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1AL MHG

partiture parte: 175

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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RSFBL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFBL RFG

partiture parte: 199

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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ES1CLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1CLHM2G

partiture parte: 197

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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RS1GL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1GL MQG

partiture parte: 205

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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SS13LHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS13LHMTG

partiture parte: 210

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ES1DLHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1DLHMHG

partiture parte: 168

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SS19L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS19L RFG

partiture parte: 157

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS26LHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS26LHRFG

partiture parte: 210

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RSFML MTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFML MTG

partiture parte: 182

Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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RSFBLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFBLHM2G

partiture parte: 191

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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S1KL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1KL RHG

partiture parte: 209

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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SS36L MTG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS36L MTG

partiture parte: 140

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S1DL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1DL MHG

partiture parte: 156

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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ES1CLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1CLHRTG

partiture parte: 229

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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RSFMLHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFMLHRHG

partiture parte: 154

Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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S1DLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1DLHMTG

partiture parte: 225

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

Wishlist
RS1AL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1AL MTG

partiture parte: 206

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

Wishlist
RSFKL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFKL MHG

partiture parte: 154

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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ES1FL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1FL MQG

partiture parte: 221

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

Wishlist
SS16LHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS16LHMHG

partiture parte: 201

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S1GL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GL M2G

partiture parte: 198

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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SS36L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS36L RTG

partiture parte: 186

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RS1GLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1GLHMTG

partiture parte: 218

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

Wishlist
S1GLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GLHMTG

partiture parte: 219

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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SS210LHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS210LHRFG

partiture parte: 213

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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HS1ML RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1ML RFG

partiture parte: 195

Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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S1GLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GLHRVG

partiture parte: 184

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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SS25L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS25L MQG

partiture parte: 221

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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