Diodi - Raddrizzatori - Unicu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 100

ES1DL MHG

partiture parte: 141

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1MLHRFG

partiture parte: 221

Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS29LHM2G

partiture parte: 200

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1GLHRTG

partiture parte: 179

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RSFGL MTG

partiture parte: 184

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RSFKLHRVG

partiture parte: 213

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK810CHM6G

partiture parte: 140

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS1GL MHG

partiture parte: 172

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1ALHMHG

partiture parte: 150

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RSFML M2G

partiture parte: 201

Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES1FL MHG

partiture parte: 199

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS22L MTG

partiture parte: 205

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1ML RHG

partiture parte: 195

Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS34LHRHG

partiture parte: 164

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1AL M2G

partiture parte: 152

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1ALHRFG

partiture parte: 231

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1JL RHG

partiture parte: 143

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 250ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS1KL RTG

partiture parte: 179

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS23L RTG

partiture parte: 139

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1KLHRHG

partiture parte: 144

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS1GL RFG

partiture parte: 160

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS115LHMTG

partiture parte: 234

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS1FL RHG

partiture parte: 146

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS215LHM2G

partiture parte: 165

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1BL MTG

partiture parte: 149

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1ALHRHG

partiture parte: 221

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1AL RUG

partiture parte: 224

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS22L RHG

partiture parte: 177

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS26L MHG

partiture parte: 220

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS24L MHG

partiture parte: 188

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1JLHRHG

partiture parte: 203

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1GLHMQG

partiture parte: 175

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS1ML MTG

partiture parte: 213

Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS34L MTG

partiture parte: 209

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES1FL RTG

partiture parte: 191

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1DL MQG

partiture parte: 224

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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