Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV13-TR

partiture parte: 173494

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 300ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW56-TR

partiture parte: 187466

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52J-TR

partiture parte: 191673

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY448TR

partiture parte: 172184

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1500V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 20µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW53-TAP

partiture parte: 190341

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51A-TR

partiture parte: 147603

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-100-TAP

partiture parte: 123328

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.07V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW34-TR

partiture parte: 188604

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY458TAP

partiture parte: 191488

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW54-TAP

partiture parte: 168015

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-12STR

partiture parte: 146211

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.4V @ 200mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 300ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26A-TR

partiture parte: 159673

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 30ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51M-TR

partiture parte: 150205

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53D-TR

partiture parte: 133955

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.9A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW52-TR

partiture parte: 120246

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53F-TR

partiture parte: 129638

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.9A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52G-TR

partiture parte: 101825

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53C-TR

partiture parte: 136092

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.9A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51D-TAP

partiture parte: 171145

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX82TR

partiture parte: 122323

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52A-TR

partiture parte: 171100

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-16STR

partiture parte: 198364

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.4V @ 200mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 300ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52J-TAP

partiture parte: 189810

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26B-TR

partiture parte: 113210

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 30ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54J-TR

partiture parte: 120006

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 100ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51J-TAP

partiture parte: 148264

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

Wishlist

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52D-TR

partiture parte: 180394

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

Wishlist

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-600-TR

partiture parte: 176295

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.35V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 250ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52G-TAP

partiture parte: 172719

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53G-TAP

partiture parte: 186525

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.9A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV14-TAP

partiture parte: 133078

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 300ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV15-TR

partiture parte: 148751

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 300ns,

Wishlist

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52B-TAP

partiture parte: 190774

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51B-TR

partiture parte: 190671

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW54-TR

partiture parte: 150177

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW53-TR

partiture parte: 100202

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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