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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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BY268TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY268TAP

partiture parte: 122912

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 400mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 400ns,

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BYV27-050-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-050-TR

partiture parte: 170832

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 55V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.07V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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BYT51D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51D-TR

partiture parte: 169988

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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BYT62-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT62-TR

partiture parte: 158535

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 2400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 350mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3.6V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 5µs,

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BYV12-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV12-TAP

partiture parte: 133807

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 300ns,

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BYV37-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV37-TR

partiture parte: 166239

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 300ns,

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BYT53A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53A-TAP

partiture parte: 162849

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.9A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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BYT54M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54M-TR

partiture parte: 154344

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 100ns,

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BY448TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY448TAP

partiture parte: 127685

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1500V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2µs,

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BYX83TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX83TAP

partiture parte: 178566

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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BYT52A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52A-TAP

partiture parte: 107418

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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BYT51B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51B-TAP

partiture parte: 155091

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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BYT53F-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53F-TAP

partiture parte: 140893

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.9A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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BYT51J-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51J-TR

partiture parte: 113210

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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BYT54K-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54K-TR

partiture parte: 120137

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 100ns,

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BYX83TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX83TR

partiture parte: 176417

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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BYT53B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53B-TR

partiture parte: 161256

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.9A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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BYX84TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX84TR

partiture parte: 147051

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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BYT53C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53C-TAP

partiture parte: 127986

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.9A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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BYT52M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52M-TR

partiture parte: 178212

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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BYT54D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54D-TR

partiture parte: 142835

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 100ns,

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BYV12-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV12-TR

partiture parte: 156566

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 300ns,

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BYT53B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53B-TAP

partiture parte: 198030

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.9A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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BY527TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY527TR

partiture parte: 197736

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.65V @ 10A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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BY458TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY458TR

partiture parte: 132572

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2µs,

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BY203-12STAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-12STAP

partiture parte: 198779

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.4V @ 200mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 300ns,

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BYW35-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW35-TR

partiture parte: 168310

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 500V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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BYX84TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX84TAP

partiture parte: 129025

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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BYT51A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51A-TAP

partiture parte: 197129

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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BYT51M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51M-TAP

partiture parte: 143955

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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BY527TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY527TAP

partiture parte: 135313

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.65V @ 10A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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BYT51G-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51G-TAP

partiture parte: 191378

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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BYV13-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV13-TAP

partiture parte: 199601

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 300ns,

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BYX82TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX82TAP

partiture parte: 116196

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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BYM12-300-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-300-E3/96

partiture parte: 143123

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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BYM12-400HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-400HE3_A/I

partiture parte: 205

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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