Diodi - Raddrizzatori - Unicu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 100

BYM12-300HE3_A/H

partiture parte: 273

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-200HE3/97

partiture parte: 146674

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-800-E3/96

partiture parte: 150291

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46-TAP

partiture parte: 108452

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 250mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT81S-TAP

partiture parte: 154468

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 15mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT82S-TR

partiture parte: 158822

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 15mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20-TAP

partiture parte: 159155

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46-TR

partiture parte: 197051

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 450mV @ 10mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT86S-TR

partiture parte: 122405

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT41-TR

partiture parte: 119842

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAY135-TAP

partiture parte: 148532

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 125V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 30mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT83S-TAP

partiture parte: 128512

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 15mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT41-TAP

partiture parte: 196580

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43-TR

partiture parte: 102104

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 450mV @ 15mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT86S-TAP

partiture parte: 107935

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV18-TR

partiture parte: 101978

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS33-TAP

partiture parte: 109507

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT85S-TR

partiture parte: 182695

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV17-TAP

partiture parte: 142042

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS34-TR

partiture parte: 194217

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43-TAP

partiture parte: 116168

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 450mV @ 15mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV18-TAP

partiture parte: 118002

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42-TAP

partiture parte: 110674

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 50mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT82S-TAP

partiture parte: 116604

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 15mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19-TAP

partiture parte: 189935

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV17-TR

partiture parte: 111895

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS581-02V-V-G-08

partiture parte: 123251

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 370mV @ 1mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54-02V-V-G-08

partiture parte: 184839

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-M3/TR

partiture parte: 175613

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHE3_A/I

partiture parte: 130523

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHE3_A/H

partiture parte: 112559

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-E3/TR3

partiture parte: 191280

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-M3/TR3

partiture parte: 131337

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-M3/TR

partiture parte: 166092

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHM3_A/I

partiture parte: 116282

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHE3_A/I

partiture parte: 173970

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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