Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-M3/TR

partiture parte: 183725

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHE3_A/I

partiture parte: 115069

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-E3/TR3

partiture parte: 197411

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHM3_A/H

partiture parte: 133472

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHE3_A/I

partiture parte: 189054

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHE3_A/H

partiture parte: 154231

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHM3_A/H

partiture parte: 129432

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHM3_A/I

partiture parte: 181553

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHE3_A/H

partiture parte: 177768

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHM3_A/I

partiture parte: 144093

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-E3/TR3

partiture parte: 138230

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-M3/TR3

partiture parte: 163164

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-E3/TR3

partiture parte: 107656

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHE3_A/H

partiture parte: 135582

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHM3_A/H

partiture parte: 187643

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHE3_A/I

partiture parte: 141453

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHM3_A/H

partiture parte: 151105

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHE3_A/I

partiture parte: 110757

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHM3_A/I

partiture parte: 163338

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHM3_A/H

partiture parte: 160116

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-M3/TR3

partiture parte: 174275

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHE3_A/I

partiture parte: 159460

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHE3_A/I

partiture parte: 116335

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHE3_A/H

partiture parte: 199885

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 120ns,

Wishlist

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHM3_A/H

partiture parte: 187956

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-M3/TR

partiture parte: 199372

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHE3_A/I

partiture parte: 176378

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHM3_A/H

partiture parte: 183930

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-M3/TR

partiture parte: 155546

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHE3_A/I

partiture parte: 125757

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHE3_A/H

partiture parte: 196711

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

Wishlist

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHM3_A/I

partiture parte: 186120

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHM3_A/H

partiture parte: 139157

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHE3_A/I

partiture parte: 185358

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3_A/H

partiture parte: 310

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-M3/TR

partiture parte: 195437

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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