Diodi - Raddrizzatori - Matrici | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 25

MURTA400120

partiture parte: 996

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.6V @ 200A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X030A04

partiture parte: 4394

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 30A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA50060R

partiture parte: 982

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 250A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A200

partiture parte: 3393

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 80A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 80A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT300100R

partiture parte: 1524

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 300A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A150

partiture parte: 3101

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA200120

partiture parte: 994

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.6V @ 100A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT30020

partiture parte: 1593

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 300A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR500200CTR

partiture parte: 1176

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 250A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 250A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR30035CT

partiture parte: 1406

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR50040CT

partiture parte: 1198

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 250A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR40020CT

partiture parte: 1580

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 400A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST12020

partiture parte: 1534

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA30060R

partiture parte: 1021

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 150A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT30040R

partiture parte: 1168

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 300A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.35V @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT10005

partiture parte: 1314

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT30005

partiture parte: 1154

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 300A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA20040R

partiture parte: 971

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 100A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR20020CTR

partiture parte: 1511

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR500200CT

partiture parte: 1191

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 250A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 250A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR10005CTR

partiture parte: 1524

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST160100

partiture parte: 1519

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 160A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 160A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA40040

partiture parte: 989

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 200A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR40080CT

partiture parte: 1222

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 400A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT200120(A)D

partiture parte: 1339

Configurazione Diode: 1 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 200A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR40020CTR

partiture parte: 1584

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 400A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT60030R

partiture parte: 934

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 600A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT10020

partiture parte: 1292

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR120100CT

partiture parte: 1548

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT12040R

partiture parte: 1889

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT120100R

partiture parte: 1802

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR600150CT

partiture parte: 917

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 300A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT120100

partiture parte: 1842

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT40020

partiture parte: 1322

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 400A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A080

partiture parte: 4085

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR40010CT

partiture parte: 1209

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 400A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 125A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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