Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

GeneSiC Semiconductor

1N8026-GA

partiture parte: 413

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 2.5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

1N1183A

partiture parte: 9667

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 40A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3209R

partiture parte: 13664

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 15A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3294AR

partiture parte: 3460

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 100A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1188A

partiture parte: 9645

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 40A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N4596R

partiture parte: 3424

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 150A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N4590

partiture parte: 3411

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 150A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N5834

partiture parte: 5569

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 590mV @ 40A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N6097R

partiture parte: 5569

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 50A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3211

partiture parte: 13543

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 15A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N4592

partiture parte: 3455

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 150A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N2128AR

partiture parte: 11438

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 60A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

150KR80A

partiture parte: 3417

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.33V @ 150A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N5831R

partiture parte: 5568

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 580mV @ 25A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

150K80A

partiture parte: 3418

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.33V @ 150A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3295AR

partiture parte: 3433

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 100A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3882

partiture parte: 13603

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 6A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

1N5829R

partiture parte: 5592

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 580mV @ 25A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N5831

partiture parte: 5574

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 580mV @ 25A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1206A

partiture parte: 15000

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 12A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

150K40A

partiture parte: 3458

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.33V @ 150A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

150KR100A

partiture parte: 3439

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.33V @ 150A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N2135AR

partiture parte: 9650

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 60A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3293AR

partiture parte: 3442

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 100A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N6096

partiture parte: 5594

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 580mV @ 25A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N5828R

partiture parte: 5618

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1204AR

partiture parte: 29070

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 12A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3893

partiture parte: 12917

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

1N2137AR

partiture parte: 9629

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 500V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 60A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1188

partiture parte: 9467

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 35A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 35A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1199A

partiture parte: 24991

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 12A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1204A

partiture parte: 21792

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 12A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3214R

partiture parte: 13835

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 15A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3890R

partiture parte: 13730

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

1N4594

partiture parte: 3451

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 150A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N4596

partiture parte: 3402

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 150A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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