Diodi - Raddrizzatori - Unicu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 21

GKN71/04

partiture parte: 12912

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 95A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 60A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR7520R

partiture parte: 5414

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 75A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 75A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S150JR

partiture parte: 2504

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 150A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S320M

partiture parte: 2017

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 320A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 300A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR6B05

partiture parte: 14103

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 6A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBR7535R

partiture parte: 5454

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 75A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 75A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR3530

partiture parte: 5674

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 35A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 680mV @ 35A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH24045R

partiture parte: 69

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 240A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 720mV @ 240A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S6JR

partiture parte: 19568

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 6A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S6BR

partiture parte: 13482

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 6A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S40G

partiture parte: 9648

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 40A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR12D02

partiture parte: 15089

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

S16M

partiture parte: 13427

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 16A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR12K05

partiture parte: 12936

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

S25B

partiture parte: 17292

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 25A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S25Q

partiture parte: 12888

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 25A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR85K05

partiture parte: 7814

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 85A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 85A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

MURH10040

partiture parte: 3680

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 90ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR70M05

partiture parte: 9587

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 70A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 70A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

S150QR

partiture parte: 2579

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 150A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20080R

partiture parte: 2556

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR12KR05

partiture parte: 12910

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

GKR240/16

partiture parte: 2322

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 320A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 60A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S12GR

partiture parte: 29131

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 12A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20040R

partiture parte: 2633

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR16G02

partiture parte: 13506

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR16B02

partiture parte: 12909

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR6GR02

partiture parte: 12909

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 6A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBR8080R

partiture parte: 5451

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 80A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 80A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKR240/14

partiture parte: 2309

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 320A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 60A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S400Y

partiture parte: 2040

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 400A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 400A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH24045

partiture parte: 51

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 240A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 720mV @ 240A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S25QR

partiture parte: 12955

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 25A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR6BR05

partiture parte: 13805

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 6A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR20JR02

partiture parte: 9585

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 250ns,

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GeneSiC Semiconductor

S300Z

partiture parte: 1978

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 2000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 300A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 300A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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