Diodi - Raddrizzatori - Unicu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 21

MURH7020

partiture parte: 1712

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 70A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 70A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBR3580

partiture parte: 5704

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 35A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 35A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S85K

partiture parte: 9592

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 85A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 85A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR40JR02

partiture parte: 9587

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 40A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 250ns,

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GeneSiC Semiconductor

MUR7005

partiture parte: 7615

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 70A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 70A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR16M05

partiture parte: 12891

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBR8030R

partiture parte: 5368

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 80A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 80A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH24030R

partiture parte: 27

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 240A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 720mV @ 240A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR16JR02

partiture parte: 13694

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 250ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR16G05

partiture parte: 13544

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR20B02

partiture parte: 9603

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

S85BR

partiture parte: 9653

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 85A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 85A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR6030

partiture parte: 5377

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR40B05

partiture parte: 9618

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 40A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

S6DR

partiture parte: 15113

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 6A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S320KR

partiture parte: 1994

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 320A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 300A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR70JR02

partiture parte: 9661

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 70A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 70A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 250ns,

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GeneSiC Semiconductor

S12JR

partiture parte: 23757

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 12A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH12045

partiture parte: 2888

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S16QR

partiture parte: 13087

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 16A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR7560R

partiture parte: 5392

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 75A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 75A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR12MR05

partiture parte: 12961

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBR7535

partiture parte: 5370

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 75A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 75A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S16J

partiture parte: 12929

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 16A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S40BR

partiture parte: 15054

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 40A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S6QR

partiture parte: 14910

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 6A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20035

partiture parte: 2626

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKN130/14

partiture parte: 3663

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 165A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 60A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S40K

partiture parte: 11288

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 40A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S85V

partiture parte: 9665

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 85A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 85A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S16BR

partiture parte: 22492

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 16A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S300E

partiture parte: 1964

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 300A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 300A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH24080R

partiture parte: 64

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 240A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 240A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH200200R

partiture parte: 1557

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR20DR02

partiture parte: 9664

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR12JR05

partiture parte: 13589

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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