Diodi - Raddrizzatori - Unicu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 21

1N3213R

partiture parte: 9594

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 500V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 15A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N5834R

partiture parte: 5649

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 590mV @ 40A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3297A

partiture parte: 3391

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 100A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3768

partiture parte: 9899

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 35A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 35A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3211R

partiture parte: 13605

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 15A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1188AR

partiture parte: 14724

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 40A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1186R

partiture parte: 14976

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 35A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 35A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3293A

partiture parte: 3421

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 100A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1187R

partiture parte: 11210

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 35A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 35A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3766

partiture parte: 9596

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 35A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 35A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N2133AR

partiture parte: 9580

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 60A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3671AR

partiture parte: 14489

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 12A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N5832

partiture parte: 5575

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 520mV @ 40A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3208R

partiture parte: 15260

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 15A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

150K100A

partiture parte: 3461

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.33V @ 150A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1183R

partiture parte: 15035

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 35A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 35A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1202AR

partiture parte: 15978

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 12A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N2133A

partiture parte: 9591

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 60A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N5828

partiture parte: 5643

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N4595

partiture parte: 3450

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 150A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N4592R

partiture parte: 3417

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 150A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1190R

partiture parte: 16753

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 35A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 35A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N8030-GA

partiture parte: 464

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 750mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.39V @ 750mA, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

1N8024-GA

partiture parte: 457

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 750mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.74V @ 750mA, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

1N6095R

partiture parte: 4316

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 580mV @ 25A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1184A

partiture parte: 11180

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 40A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3673AR

partiture parte: 12882

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 12A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1186AR

partiture parte: 10488

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 40A,

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GeneSiC Semiconductor

150KR60A

partiture parte: 2965

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.33V @ 150A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1206AR

partiture parte: 17397

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 12A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1184

partiture parte: 7472

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 35A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 35A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3210

partiture parte: 11001

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 15A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3214

partiture parte: 12725

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 15A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3891

partiture parte: 11106

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

1N4595R

partiture parte: 2917

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 150A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N6098

partiture parte: 4336

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 50A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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