Diodi - Raddrizzatori - Matrici | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 25

MURT40010R

partiture parte: 1085

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 400A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT20030R

partiture parte: 1602

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT10010

partiture parte: 1338

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR12080CT

partiture parte: 1575

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR40005CTR

partiture parte: 1276

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 400A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 125A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA60020R

partiture parte: 949

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 600A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT30030

partiture parte: 1567

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 300A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR20045CT

partiture parte: 1548

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A180

partiture parte: 3569

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 180V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 80A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 80A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT10040R

partiture parte: 1285

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.35V @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR40040CT

partiture parte: 1230

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 400A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 125A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X120A02

partiture parte: 3144

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 120A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA50040R

partiture parte: 1066

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 250A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT40010

partiture parte: 1018

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 400A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR30005CTR

partiture parte: 1351

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 300A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR200200CT

partiture parte: 1544

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A100

partiture parte: 4056

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 50A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT10010R

partiture parte: 1316

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT60080R

partiture parte: 968

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 600A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR50030CT

partiture parte: 1187

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 250A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA60020

partiture parte: 979

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 600A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT20020R

partiture parte: 1604

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA200100(A)D

partiture parte: 1307

Configurazione Diode: 1 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 200A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT60035

partiture parte: 981

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 600A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT30060

partiture parte: 1255

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 300A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR50045CTR

partiture parte: 1179

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 250A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR30005CT

partiture parte: 1326

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 300A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT60040R

partiture parte: 959

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 600A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA200160(A)D

partiture parte: 1239

Configurazione Diode: 1 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 200A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT50040R

partiture parte: 1084

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 250A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST12080

partiture parte: 1525

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT50060R

partiture parte: 1065

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 250A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT50035R

partiture parte: 1133

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 250A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR200200CTR

partiture parte: 1485

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT30040

partiture parte: 1082

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 300A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.35V @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT50035

partiture parte: 1091

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 250A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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