Diodi - Raddrizzatori - Matrici | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 25

MBRT400200

partiture parte: 2222

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT150120(A)D

partiture parte: 1856

Configurazione Diode: 1 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 150A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR400100CTR

partiture parte: 1349

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 400A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA20060(A)D

partiture parte: 1235

Configurazione Diode: 1 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 200A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X030A080

partiture parte: 4336

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT30010R

partiture parte: 1141

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 300A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA40060R

partiture parte: 949

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 200A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR40045CTR

partiture parte: 1298

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 400A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT12040

partiture parte: 1835

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR30040CTR

partiture parte: 1426

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 300A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR30020CTR

partiture parte: 1311

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 300A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT20010R

partiture parte: 1196

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR500150CT

partiture parte: 1181

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 250A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 250A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT120150R

partiture parte: 1882

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT50045

partiture parte: 1103

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 250A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT20030

partiture parte: 1588

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A10

partiture parte: 2905

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.35V @ 60A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR20030CT

partiture parte: 1543

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT40005R

partiture parte: 1065

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 400A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST120150

partiture parte: 1674

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT400150

partiture parte: 1541

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT20060

partiture parte: 1254

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT300150

partiture parte: 1540

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT200100(A)

partiture parte: 1517

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA500120

partiture parte: 941

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 250A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.6V @ 250A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT30040

partiture parte: 1272

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 300A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR300150CT

partiture parte: 1488

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT40060R

partiture parte: 1085

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 400A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA500120R

partiture parte: 984

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 250A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.6V @ 250A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA300120R

partiture parte: 986

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.6V @ 150A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT20020

partiture parte: 1623

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA30020

partiture parte: 1027

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 150A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X030A12

partiture parte: 4218

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.35V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT200120(A)

partiture parte: 1484

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A180

partiture parte: 3494

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 180V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA50060

partiture parte: 997

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 250A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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