Diodi - Raddrizzatori - Matrici | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 25

MURT10040

partiture parte: 1273

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.35V @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA60060R

partiture parte: 985

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 600A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT40045

partiture parte: 992

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 400A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A200

partiture parte: 3422

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST12030

partiture parte: 1597

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST12040

partiture parte: 1554

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR50020CT

partiture parte: 1188

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 250A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR20060CT

partiture parte: 1249

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR60035CT

partiture parte: 957

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 300A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR60060CTR

partiture parte: 808

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 300A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR60060CT

partiture parte: 829

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 300A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X030A10

partiture parte: 4482

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.35V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT60045

partiture parte: 904

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 600A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR12060CTR

partiture parte: 1586

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR30080CTR

partiture parte: 1410

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 300A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT12045R

partiture parte: 1804

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT20045R

partiture parte: 1401

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT60060

partiture parte: 888

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 600A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR10010CT

partiture parte: 1514

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA40060

partiture parte: 1012

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 200A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT12030

partiture parte: 1898

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A100

partiture parte: 3201

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST160200

partiture parte: 1684

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 80A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 80A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT50080

partiture parte: 1046

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 250A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT10060(A)D

partiture parte: 1906

Configurazione Diode: 1 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 100A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A200

partiture parte: 2988

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA300160(A)D

partiture parte: 1308

Configurazione Diode: 1 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 300A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 300A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST16080

partiture parte: 1509

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 160A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 160A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA50020R

partiture parte: 983

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 250A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT30020R

partiture parte: 1539

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 300A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT10020R

partiture parte: 1316

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT60020R

partiture parte: 956

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 600A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X120A06

partiture parte: 3104

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 120A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR50080CTR

partiture parte: 1154

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 250A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR40040CT

partiture parte: 1213

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 400A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT40060

partiture parte: 1060

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 400A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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