Diodi - Raddrizzatori - Unicu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 21

S400KR

partiture parte: 2009

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 400A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 400A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

SD4145

partiture parte: 6509

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 680mV @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR12M05

partiture parte: 9525

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

S85YR

partiture parte: 7151

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 85A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 85A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-214

partiture parte: 28962

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 1A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

GB01SLT06-214

partiture parte: 37909

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2V @ 1A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

GB02SHT01-46

partiture parte: 1555

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 1A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

S40Q

partiture parte: 7175

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 40A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR85JR02

partiture parte: 5989

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 85A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 85A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 250ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR70G02

partiture parte: 9642

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 70A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 70A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

GB20SLT12-247

partiture parte: 2856

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2V @ 20A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

S300YR

partiture parte: 1824

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 300A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 300A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S40B

partiture parte: 11196

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 40A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-220

partiture parte: 17999

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 2A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBR8045R

partiture parte: 4212

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 80A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 80A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR30J02

partiture parte: 7131

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20045

partiture parte: 2177

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S85VR

partiture parte: 7084

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 85A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 85A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR3560R

partiture parte: 4392

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 35A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 35A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR85JR05

partiture parte: 5997

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 85A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 85A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

S85Q

partiture parte: 7124

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 85A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 85A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S40KR

partiture parte: 8348

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 40A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR40G02

partiture parte: 7130

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 40A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH12040R

partiture parte: 2457

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GB02SHT03-46

partiture parte: 1505

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 1A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20045R

partiture parte: 2179

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GB50SLT12-247

partiture parte: 771

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 50A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 50A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR40KR05

partiture parte: 7134

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 40A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR20GR02

partiture parte: 7177

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

GB02SHT06-46

partiture parte: 1373

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 1A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR70GR02

partiture parte: 7175

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 70A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 70A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR30G02

partiture parte: 7099

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

S85JR

partiture parte: 7155

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 85A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 85A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR3545

partiture parte: 4428

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 35A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 680mV @ 35A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S300Y

partiture parte: 1833

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 300A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 300A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S85J

partiture parte: 7670

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 85A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 85A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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