Diodi - Raddrizzatori - Unicu

GKR26/14

partiture parte: 12958

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.55V @ 60A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GKR26/16

partiture parte: 12921

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.55V @ 60A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GKN26/04

partiture parte: 13144

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.55V @ 60A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GKN26/08

partiture parte: 13937

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.55V @ 60A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GKN26/16

partiture parte: 12900

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.55V @ 60A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GB02SLT06-214

partiture parte: 1697

GKR26/08

partiture parte: 13917

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.55V @ 60A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GB05SLT12-220

partiture parte: 15869

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 2A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

GKR26/04

partiture parte: 18368

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.55V @ 60A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GKN26/12

partiture parte: 12909

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.55V @ 60A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GKR26/12

partiture parte: 12907

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.55V @ 60A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GB10SLT12-214

partiture parte: 1651

GB10SLT12-220

partiture parte: 7775

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

MBRH30030RL

partiture parte: 1344

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 300A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 580mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

GKN26/14

partiture parte: 12907

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.55V @ 60A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

MBRH30020L

partiture parte: 1318

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 300A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 580mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBRH20045L

partiture parte: 1367

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

GAP3SLT33-220FP

partiture parte: 4393

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 3300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 300mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 300mA, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

MBRH20030RL

partiture parte: 1318

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 580mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

GB01SLT12-252

partiture parte: 20729

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 1A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

MBRH20040L

partiture parte: 5076

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

GB01SLT12-214

partiture parte: 33295

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 1A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

GB02SLT12-252

partiture parte: 37881

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 2A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

GB05SLT12-252

partiture parte: 17108

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 2A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

GB10SLT12-252

partiture parte: 9012

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,