Diodi - Raddrizzatori - Unicu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 21

MBR8045

partiture parte: 4200

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 80A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 80A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH30020RL

partiture parte: 2354

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 300A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 580mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR30GR02

partiture parte: 7100

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH30040RL

partiture parte: 2289

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 300A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH30045L

partiture parte: 2377

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 300A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR5010R

partiture parte: 5676

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 50A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR85G02

partiture parte: 6031

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 85A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 85A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR40MR05

partiture parte: 7147

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 40A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR85GR02

partiture parte: 6017

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 85A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 85A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH30030L

partiture parte: 2356

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 300A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 580mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURH7060R

partiture parte: 2350

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 70A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 70A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 110ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH30045RL

partiture parte: 2334

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 300A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH30040L

partiture parte: 2296

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 300A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH30035L

partiture parte: 2318

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 300A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH30035RL

partiture parte: 5231

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 300A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 300A,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20035L

partiture parte: 2307

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20045RL

partiture parte: 2242

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15020RL

partiture parte: 2232

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 580mV @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GAP05SLT80-220

partiture parte: 311

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 8000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 50mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 4.6V @ 50mA, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20020RL

partiture parte: 2319

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 580mV @ 200mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15045RL

partiture parte: 2265

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15030L

partiture parte: 2239

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 580mV @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20020L

partiture parte: 2328

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 580mV @ 200mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15040L

partiture parte: 2310

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15035L

partiture parte: 2284

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20030L

partiture parte: 2270

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 580mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20040RL

partiture parte: 2239

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20035RL

partiture parte: 5225

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15040RL

partiture parte: 2278

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist

GeneSiC Semiconductor

MBRH15035RL

partiture parte: 2301

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15020L

partiture parte: 2249

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 580mV @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15030RL

partiture parte: 2239

Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15045L

partiture parte: 2267

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR6A02

partiture parte: 10367

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 6A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

GB01SLT12-220

partiture parte: 20747

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 1A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

GAP3SLT33-214

partiture parte: 5683

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 3300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 300mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.2V @ 300mA, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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