Diodi - Raddrizzatori - Matrici | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 3

GSXD060A006S1-D3

partiture parte: 3906

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD120A020S1-D3

partiture parte: 3353

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD060A004S1-D3

partiture parte: 4770

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GHXS020A060S-D3

partiture parte: 2086

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD100A020S1-D3

partiture parte: 3234

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD060A020S1-D3

partiture parte: 3381

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD050A004S1-D3

partiture parte: 4472

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 50A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD160A020S1-D3

partiture parte: 2564

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 160A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 160A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD050A010S1-D3

partiture parte: 4264

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 50A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXF100A060S1-D3

partiture parte: 3401

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD080A020S1-D3

partiture parte: 3480

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 80A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 80A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD050A006S1-D3

partiture parte: 4403

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 50A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXF100A040S1-D3

partiture parte: 3366

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD100A008S1-D3

partiture parte: 3637

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXF030A100S1-D3

partiture parte: 4593

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.35V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXD120A006S1-D3

partiture parte: 3548

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD100A010S1-D3

partiture parte: 3649

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXF120A100S1-D3

partiture parte: 3351

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.35V @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GHXS030A120S-D3

partiture parte: 1125

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 30A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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GSXD030A010S1-D3

partiture parte: 5259

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD080A006S1-D3

partiture parte: 3916

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 80A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 80A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD120A018S1-D3

partiture parte: 3499

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 180V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD060A012S1-D3

partiture parte: 3656

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD080A018S1-D3

partiture parte: 3569

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 180V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 80A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 80A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD050A020S1-D3

partiture parte: 3837

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 50A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD160A018S1-D3

partiture parte: 2523

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 180V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 160A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 160A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD160A012S1-D3

partiture parte: 2661

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 160A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 160A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD160A010S1-D3

partiture parte: 2749

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 160A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 160A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD060A015S1-D3

partiture parte: 3529

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD050A018S1-D3

partiture parte: 3985

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 180V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 50A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GHXS015A120S-D4

partiture parte: 1973

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXF120A020S1-D3

partiture parte: 3421

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXF120A040S1-D3

partiture parte: 3601

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD050A012S1-D3

partiture parte: 4093

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 50A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD100A004S1-D3

partiture parte: 3380

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD080A010S1-D3

partiture parte: 3765

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 160A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 80A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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