Diodi - Raddrizzatori - Matrici

GSXD060A018S1-D3

GSXD060A018S1-D3

partiture parte: 3533

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 180V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXD060A010S1-D3

GSXD060A010S1-D3

partiture parte: 4530

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXF100A100S1-D3

GSXF100A100S1-D3

partiture parte: 3391

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.35V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXD100A012S1-D3

GSXD100A012S1-D3

partiture parte: 3525

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXF060A120S1-D3

GSXF060A120S1-D3

partiture parte: 3187

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.35V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXD160A015S1-D3

GSXD160A015S1-D3

partiture parte: 2582

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 160A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 160A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXD120A004S1-D3

GSXD120A004S1-D3

partiture parte: 3499

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXF030A020S1-D3

GSXF030A020S1-D3

partiture parte: 4278

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXD100A018S1-D3

GSXD100A018S1-D3

partiture parte: 3373

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 180V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXD050A015S1-D3

GSXD050A015S1-D3

partiture parte: 4033

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 50A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXF120A120S1-D3

GSXF120A120S1-D3

partiture parte: 3269

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.35V @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXD060A008S1-D3

GSXD060A008S1-D3

partiture parte: 3820

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXD160A008S1-D3

GSXD160A008S1-D3

partiture parte: 2764

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 160A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 160A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXD080A004S1-D3

GSXD080A004S1-D3

partiture parte: 4780

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 80A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 80A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXD100A015S1-D3

GSXD100A015S1-D3

partiture parte: 3546

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXD080A015S1-D3

GSXD080A015S1-D3

partiture parte: 3626

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 80A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 80A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXD080A012S1-D3

GSXD080A012S1-D3

partiture parte: 3740

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 80A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 80A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GP2D030A120U

GP2D030A120U

partiture parte: 4458

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 50A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 15A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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GP2D060A120U

GP2D060A120U

partiture parte: 2940

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 94A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 30A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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GDP30D120B

GDP30D120B

partiture parte: 4177

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 15A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GP2D020A065U

GP2D020A065U

partiture parte: 12168

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.65V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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GDP24D060B

GDP24D060B

partiture parte: 4184

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 12A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GP2D020A120U

GP2D020A120U

partiture parte: 7944

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 33A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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GDP60D120B

GDP60D120B

partiture parte: 4163

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GP2D010A120U

GP2D010A120U

partiture parte: 15850

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 17A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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GDP60Y120B

GDP60Y120B

partiture parte: 4230

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GP2D040A120U

GP2D040A120U

partiture parte: 4340

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 65A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 20A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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GDP48Y060B

GDP48Y060B

partiture parte: 4217

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 24A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 24A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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