Transistori - IGBT - Moduli | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 16

APTGF100SK120TG

partiture parte: 453

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 135A, Potenza - Max: 568W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGF150A120TG

partiture parte: 3069

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 200A, Potenza - Max: 961W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTGF100DU120TG

partiture parte: 453

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Dual, Common Source, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 135A, Potenza - Max: 568W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGF100DA120T1G

partiture parte: 411

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 130A, Potenza - Max: 735W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGF100A120TG

partiture parte: 435

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 135A, Potenza - Max: 568W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APT60GF60JU3

partiture parte: 455

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 93A, Potenza - Max: 378W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

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Microsemi Corporation

APT60GF60JU2

partiture parte: 418

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 93A, Potenza - Max: 378W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

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Microsemi Corporation

APT50GT120JU3

partiture parte: 3465

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 347W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT50GT120JU2

partiture parte: 3433

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 347W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT50GF60JU3

partiture parte: 448

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 277W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT30GF60JU3

partiture parte: 465

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 58A, Potenza - Max: 192W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

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Microsemi Corporation

APT30GF60JU2

partiture parte: 416

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 58A, Potenza - Max: 192W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

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Microsemi Corporation

APT100GF60JU3

partiture parte: 481

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 120A, Potenza - Max: 416W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APT75GN120J

partiture parte: 420

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 124A, Potenza - Max: 379W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3G

partiture parte: 401

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 124A, Potenza - Max: 379W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APT60GT60JR

partiture parte: 445

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 93A, Potenza - Max: 378W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

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Microsemi Corporation

APT50GP60J

partiture parte: 2419

Tipu IGBT: PT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 100A, Potenza - Max: 329W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT50GT120JRDQ2

partiture parte: 393

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 72A, Potenza - Max: 379W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT40GP60JDQ2

partiture parte: 2536

Tipu IGBT: PT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 86A, Potenza - Max: 284W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A,

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Microsemi Corporation

APT40GF120JRDQ2

partiture parte: 469

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 77A, Potenza - Max: 347W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A,

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Microsemi Corporation

APT200GN60JG

partiture parte: 406

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 283A, Potenza - Max: 682W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

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Microsemi Corporation

APT75GP120JDQ3

partiture parte: 1653

Tipu IGBT: PT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 128A, Potenza - Max: 543W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGV50H60BT3G

partiture parte: 1360

Tipu IGBT: NPT, Trench Field Stop, Cunfigurazione: Boost Chopper, Full Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 65A, Potenza - Max: 250W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT40GP90JDQ2

partiture parte: 2143

Tipu IGBT: PT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 900V, Current - Collector (Ic) (Max): 64A, Potenza - Max: 284W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A,

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Microsemi Corporation

APT40GP90J

partiture parte: 2176

Tipu IGBT: PT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 900V, Current - Collector (Ic) (Max): 68A, Potenza - Max: 284W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A,

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Microsemi Corporation

APT50GP60JDQ2

partiture parte: 2312

Tipu IGBT: PT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 100A, Potenza - Max: 329W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT30GP60JDQ1

partiture parte: 2849

Tipu IGBT: PT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 67A, Potenza - Max: 245W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A,

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Microsemi Corporation

APTGF50DA120CT1G

partiture parte: 351

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 312W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF90DA60CT1G

partiture parte: 336

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 110A, Potenza - Max: 416W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGT75DH60T1G

partiture parte: 3031

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Asymmetrical Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 100A, Potenza - Max: 250W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT50A1202G

partiture parte: 3035

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 277W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF100A120T3WG

partiture parte: 285

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 130A, Potenza - Max: 657W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGT75SK170D1G

partiture parte: 351

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 120A, Potenza - Max: 520W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT75SK60T1G

partiture parte: 371

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 100A, Potenza - Max: 250W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT50SK120D1G

partiture parte: 316

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 270W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT75A120TG

partiture parte: 363

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 100A, Potenza - Max: 350W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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