Diodi - Raddrizzatori - Matrici | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 21

SRS1690 MNG

partiture parte: 161

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15100CT-Y MNG

partiture parte: 146

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 7.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3090CTHC0G

partiture parte: 156

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 940mV @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2060CTHC0G

partiture parte: 112

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30L45CTHC0G

partiture parte: 160

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HER1603PT C0G

partiture parte: 79

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2560CTHC0G

partiture parte: 146

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 12.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

UGF1606G C0G

partiture parte: 150

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2590CTHMNG

partiture parte: 102

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 25A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3045CT C0G

partiture parte: 116

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 820mV @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1060CT C0G

partiture parte: 72

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MUR1620CTHC0G

partiture parte: 168

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1035CTHC0G

partiture parte: 164

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR40150PT C0G

partiture parte: 98

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.01V @ 40A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

GP1004HC0G

partiture parte: 158

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

GP1003 C0G

partiture parte: 151

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

GP1606HC0G

partiture parte: 158

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 8A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1004G C0G

partiture parte: 107

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20150CTHC0G

partiture parte: 137

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.23V @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR10150HC0G

partiture parte: 126

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1550CTHC0G

partiture parte: 162

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 7.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30L60CTHC0G

partiture parte: 167

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30150PT C0G

partiture parte: 72

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.02V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRF20150 C0G

partiture parte: 144

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.02V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20L100CT C0G

partiture parte: 97

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR15100CTHC0G

partiture parte: 75

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 7.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2004GHC0G

partiture parte: 161

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2090CTHMNG

partiture parte: 78

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1050CTHMNG

partiture parte: 111

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF30L120CT C0G

partiture parte: 136

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10100CT MNG

partiture parte: 110

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1045CTHC0G

partiture parte: 87

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2050CTHC0G

partiture parte: 95

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR40150PTHC0G

partiture parte: 158

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.01V @ 40A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10100CTHC0G

partiture parte: 105

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10150CT MNG

partiture parte: 121

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 980mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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