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Transistori - Bipolari (BJT) - RF

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2SC5087YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087YTE85LF

partiture parte: 144

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Guadagnu: 13dB, Potenza - Max: 150mW,

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2SC5084-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084-O(TE85L,F)

partiture parte: 170

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Guadagnu: 11dB, Potenza - Max: 150mW,

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2SC4215-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-Y(TE85L,F)

partiture parte: 171976

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 30V, Frequenza - Transizione: 550MHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, Guadagnu: 17dB ~ 23dB, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5066-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-O,LF

partiture parte: 111075

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5085-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-Y(TE85L,F)

partiture parte: 128600

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Guadagnu: 11dB ~ 16.5dB, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5086-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-O,LF

partiture parte: 121034

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-O(TE85L,F)

partiture parte: 190

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5085-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-O(TE85L,F)

partiture parte: 170

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-O(TE85L,F)

partiture parte: 187

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 10V, Frequenza - Transizione: 10GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Guadagnu: 13dB ~ 7dB, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5086-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-Y,LF

partiture parte: 173074

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-R(TE85L,F)

partiture parte: 128

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 10V, Frequenza - Transizione: 10GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Guadagnu: 13dB ~ 7.5dB, Potenza - Max: 100mW,

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2SC4915-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-O,LF

partiture parte: 124837

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 30V, Frequenza - Transizione: 550MHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Guadagnu: 17dB ~ 23dB, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5084YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084YTE85LF

partiture parte: 152602

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Guadagnu: 11dB, Potenza - Max: 150mW,

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2SC5087-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087-O(TE85L,F)

partiture parte: 162523

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Potenza - Max: 150mW,

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2SC5066-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-Y,LF

partiture parte: 133840

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Potenza - Max: 100mW,

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2SC2714-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-Y(TE85L,F)

partiture parte: 132303

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 30V, Frequenza - Transizione: 550MHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz, Guadagnu: 23dB, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5087R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087R(TE85L,F)

partiture parte: 156257

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 8GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz, Potenza - Max: 150mW,

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2SC5065-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-Y(TE85L,F)

partiture parte: 190913

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Guadagnu: 12dB ~ 17dB, Potenza - Max: 100mW,

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2SC2714-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-O(TE85L,F)

partiture parte: 167393

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 30V, Frequenza - Transizione: 550MHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz, Guadagnu: 23dB, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5088-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5088-O(TE85L,F)

partiture parte: 7295

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Guadagnu: 18dB, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5108-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5108-Y,LF

partiture parte: 4783

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 10V, Frequenza - Transizione: 6GHz, Guadagnu: 11dB, Potenza - Max: 100mW,

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2SC4915-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-Y,LF

partiture parte: 7101

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 30V, Frequenza - Transizione: 550MHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Guadagnu: 17dB ~ 23dB, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5096-R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5096-R,LF

partiture parte: 7064

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 10V, Frequenza - Transizione: 10GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Guadagnu: 1.4dB, Potenza - Max: 100mW,

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2SC4215-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-O(TE85L,F)

partiture parte: 160292

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 30V, Frequenza - Transizione: 550MHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 5dB @ 100MHz, Guadagnu: 23dB, Potenza - Max: 100mW,

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MT3S111(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111(TE85L,F)

partiture parte: 91

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 6V, Frequenza - Transizione: 11.5GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Guadagnu: 12dB, Potenza - Max: 700mW,

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MT3S111P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111P(TE12L,F)

partiture parte: 18982

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 6V, Frequenza - Transizione: 8GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1GHz, Guadagnu: 10.5dB, Potenza - Max: 1W,

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MT3S113P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113P(TE12L,F)

partiture parte: 4314

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 5.3V, Frequenza - Transizione: 7.7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Guadagnu: 10.5dB, Potenza - Max: 1.6W,

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MT3S113(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113(TE85L,F)

partiture parte: 9921

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 5.3V, Frequenza - Transizione: 12.5GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Guadagnu: 11.8dB, Potenza - Max: 800mW,

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MT3S20P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S20P(TE12L,F)

partiture parte: 4313

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Guadagnu: 16.5dB, Potenza - Max: 1.8W,

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MT3S20TU(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S20TU(TE85L)

partiture parte: 135

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.45dB @ 20mA, 5V, Guadagnu: 12dB, Potenza - Max: 900mW,

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MT3S113TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113TU,LF

partiture parte: 9992

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 5.3V, Frequenza - Transizione: 11.2GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Guadagnu: 12.5dB, Potenza - Max: 900mW,

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MT3S16U(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S16U(TE85L,F)

partiture parte: 176440

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 5V, Frequenza - Transizione: 4GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz, Guadagnu: 4.5dBi, Potenza - Max: 100mW,

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HN3C10FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C10FUTE85LF

partiture parte: 7065

Tipu di transistore: 2 NPN (Dual), Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Guadagnu: 11.5dB, Potenza - Max: 200mW,

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