Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387CT,L3F

partiture parte: 117530

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.6ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS190TE85LF

partiture parte: 116

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS187,LF

partiture parte: 131

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416CT,L3F

partiture parte: 111

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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1SS307(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307(TE85L,F)

partiture parte: 161

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193,LF

partiture parte: 176168

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413CT,L3F

partiture parte: 156192

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 50mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 50mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS424(TPL3,F)

partiture parte: 201

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 200mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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1SS401(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS401(TE85L,F)

partiture parte: 122602

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 300mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 450mV @ 300mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193S,LF(D

partiture parte: 2303

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,H3F

partiture parte: 1533

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 50mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS394TE85LF

partiture parte: 154898

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 10V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS397TE85LF

partiture parte: 152629

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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1SS196(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS196(TE85L,F)

partiture parte: 136052

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS403,H3F

partiture parte: 175794

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 60ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS370TE85LF

partiture parte: 1558

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 60ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307E,L3F

partiture parte: 146552

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413,L3M

partiture parte: 180671

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 50mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 50mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416,L3M

partiture parte: 113319

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417,L3M

partiture parte: 108515

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 620mV @ 50mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417CT,L3F

partiture parte: 21577

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 620mV @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS405,H3F

partiture parte: 106441

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 50mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 50mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,L3F

partiture parte: 119305

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 10V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS367,H3F

partiture parte: 129010

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 10V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS427,L3M

partiture parte: 138564

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.6ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS404,H3F

partiture parte: 174948

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 300mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 450mV @ 300mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387,L3F

partiture parte: 106991

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS352,H3F

partiture parte: 126326

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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1SS250(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS250(TE85L,F)

partiture parte: 172900

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 60ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS294,LF

partiture parte: 154455

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,H3F

partiture parte: 8357

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 150mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 3ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

BAS316,H3F

partiture parte: 8339

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 150mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 3ns,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,L3F

partiture parte: 8339

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 150mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 3ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TRS10E65C,S1Q

partiture parte: 6216

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S30,L3F

partiture parte: 176414

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 450mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S40,L3F

partiture parte: 162705

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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