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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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CUS05S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05S30,H3F

partiture parte: 141424

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 340mV @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS10S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S30,H3F

partiture parte: 175222

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 230mV @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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JDH2S02SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

JDH2S02SL,L3F

partiture parte: 21594

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 10V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10mA (DC), Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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CTS520,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CTS520,L3F

partiture parte: 122854

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 200mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CCS15S40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S40,L3F

partiture parte: 159042

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS10S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S40,H3F

partiture parte: 172576

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 400mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMF05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMF05(TE12L,Q,M)

partiture parte: 158502

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.7V @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 100ns,

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CTS05S30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05S30,L3F

partiture parte: 114342

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 340mV @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CES388,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CES388,L3F

partiture parte: 155708

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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CMS11(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L,Q,M)

partiture parte: 159752

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS05S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05S40,H3F

partiture parte: 139868

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 350mV @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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TRS6E65C,S1AQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TRS6E65C,S1AQ

partiture parte: 11358

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 6A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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CMS03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L,Q,M)

partiture parte: 144392

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 450mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS06(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS06(TE12L,Q,M)

partiture parte: 184133

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 370mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRS09(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L,Q,M)

partiture parte: 139204

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 460mV @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRH01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L,Q,M)

partiture parte: 121678

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 980mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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CRS08(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L,Q,M)

partiture parte: 183971

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 360mV @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
CRS01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L,Q,M)

partiture parte: 104302

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 360mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L,Q,M)

partiture parte: 164330

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 370mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
CMS05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS05(TE12L,Q,M)

partiture parte: 112076

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 450mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS08F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS08F30,H3F

partiture parte: 193256

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 220mV @ 10mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
CBS10F40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10F40,L3F

partiture parte: 8420

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
CUS10F40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F40,H3F

partiture parte: 4875

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 670mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
CUS520,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS520,H3F

partiture parte: 181235

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 280mV @ 10mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
CUS05F40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05F40,H3F

partiture parte: 4923

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 810mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
CUS05F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05F30,H3F

partiture parte: 151245

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 450mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
CTS05F40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05F40,L3F

partiture parte: 8357

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 810mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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