Diodi - Raddrizzatori - Unicu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 6

CRG09(TE85L,Q,M)

partiture parte: 193

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 700mA, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CUS04(TE85L,Q,M)

partiture parte: 250

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 700mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 580mV @ 700mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMH08(TE12L,Q,M)

partiture parte: 223

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 100ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10I40A(TE85L,QM

partiture parte: 162

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 490mV @ 700mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRG07(TE85L,Q,M)

partiture parte: 183

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 700mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 700mA, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05(TE12L,Q,M)

partiture parte: 178

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 100ns,

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CRS14(TE85L,Q,M)

partiture parte: 166

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 490mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS10(TE12L,Q,M)

partiture parte: 130001

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CLH02(TE16L,Q)

partiture parte: 2615

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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CLS02(TE16L,HIT,Q)

partiture parte: 2547

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 0.55V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(T6L,CANO-O,Q

partiture parte: 2587

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 0.55V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16R,Q)

partiture parte: 2557

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 0.58V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CLH02(TE16R,Q)

partiture parte: 2558

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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CLH05,LMBJQ(O

partiture parte: 2588

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 0.98V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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CLH07(TE16R,Q)

partiture parte: 2552

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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CLS01(TE16R,Q)

partiture parte: 2596

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 0.47V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CLS03(T6L,SHINA,Q)

partiture parte: 2554

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 0.58V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CLH01(TE16L,Q)

partiture parte: 2598

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 0.98V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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CLH05(TE16R,Q)

partiture parte: 2581

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 0.98V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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CLS03(TE16L,PCD,Q)

partiture parte: 2562

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 0.58V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CLS02(TE16R,Q)

partiture parte: 2544

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 0.55V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CLS02(T6L,CLAR,Q)

partiture parte: 2597

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 0.55V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CLS02(TE16L,SQC,Q)

partiture parte: 2590

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 0.55V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CLH06(TE16L,Q)

partiture parte: 2608

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A (DC), Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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CLH01(TE16R,Q)

partiture parte: 2533

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 0.98V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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CLS01,LFJFQ(O

partiture parte: 2549

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 0.47V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CLS03,LNITTOQ(O

partiture parte: 2564

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 0.58V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CLS03(T6L,CANO-O,Q

partiture parte: 2613

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 0.58V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CLH03(TE16L,Q)

partiture parte: 2603

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A (DC), Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,SQC,Q)

partiture parte: 2602

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 0.58V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,PSD,Q)

partiture parte: 5263

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 0.58V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CLH07(TE16L,NMB,Q)

partiture parte: 2547

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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CLS03(TE16L,DNSO,Q

partiture parte: 2552

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 0.58V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CLH06(TE16R,Q)

partiture parte: 5332

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A (DC), Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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CCS15S30,L3IDTF

partiture parte: 2062

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 400mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05A(TE12L,Q,M)

partiture parte: 102694

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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