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Transistori - IGBT - Unicu

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GT60N321(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT60N321(Q)

partiture parte: 6662

Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1000V, Current - Collector (Ic) (Max): 60A, Current - Collector Pulsed (Icm): 120A, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A, Potenza - Max: 170W,

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GT50J121(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT50J121(Q)

partiture parte: 6662

Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 50A, Current - Collector Pulsed (Icm): 100A, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A, Potenza - Max: 240W,

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GT8G133(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT8G133(TE12L,Q)

partiture parte: 6700

Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 400V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150A, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 4V, 150A, Potenza - Max: 600mW,

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GT10G131(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT10G131(TE12L,Q)

partiture parte: 6737

Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 400V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200A, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 4V, 200A, Potenza - Max: 1W,

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GT10J312(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT10J312(Q)

partiture parte: 6730

Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 10A, Current - Collector Pulsed (Icm): 20A, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Potenza - Max: 60W,

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