Transistori - Bipolari (BJT) - Matrici

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Transistori - Bipolari (BJT) - Matrici

2SC4207-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-Y(TE85L,F)

partiture parte: 152609

Tipu di transistore: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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2SC4944-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4944-Y(TE85L,F)

partiture parte: 98

Tipu di transistore: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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2SA1618-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-Y(TE85L,F)

partiture parte: 124

Tipu di transistore: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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2SA1873-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-Y(TE85L,F)

partiture parte: 114931

Tipu di transistore: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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2SA1873-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-GR(TE85L,F

partiture parte: 137653

Tipu di transistore: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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2SC4207-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-BL(TE85L,F

partiture parte: 153875

Tipu di transistore: 2 NPN (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

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2SC4207-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-GR(TE85L,F

partiture parte: 9987

Tipu di transistore: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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2SA1618-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-GR(TE85L,F

partiture parte: 115889

Tipu di transistore: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN1B01FU-Y(L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-Y(L,F,T)

partiture parte: 4365

Tipu di transistore: NPN, PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-GR,LF

partiture parte: 167758

Tipu di transistore: 2 PNP (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN1C03FU-A(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03FU-A(TE85L,F

partiture parte: 115887

Tipu di transistore: 2 NPN (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 300mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 20V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A51JTE85LF

partiture parte: 179411

Tipu di transistore: 2 PNP (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 120V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN1A01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-GR(TE85L,F

partiture parte: 4432

Tipu di transistore: 2 PNP (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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ULN2004AFWG,N,E

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004AFWG,N,E

partiture parte: 124168

Tipu di transistore: 7 NPN Darlington, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 50µA, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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HN1A01F-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-Y(TE85L,F)

partiture parte: 104094

Tipu di transistore: 2 PNP (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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HN4B04J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B04J(TE85L,F)

partiture parte: 147055

Tipu di transistore: NPN, PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 30V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100µA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-Y,LF

partiture parte: 104803

Tipu di transistore: 2 PNP (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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TPCP8901(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8901(TE85L,F,M

partiture parte: 104

Tipu di transistore: NPN, PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, 800mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 200mV @ 10mA, 300mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-GR,LF

partiture parte: 184759

Tipu di transistore: NPN, PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN1B01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01F-GR(TE85L,F

partiture parte: 4437

Tipu di transistore: NPN, PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN4A06J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A06J(TE85L,F)

partiture parte: 4500

Tipu di transistore: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 120V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN2C01FE-GR(T5L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FE-GR(T5L,F)

partiture parte: 4488

Tipu di transistore: 2 NPN (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-GR,LF

partiture parte: 184335

Tipu di transistore: 2 NPN (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN3A51F(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN3A51F(TE85L,F)

partiture parte: 4476

Tipu di transistore: 2 PNP (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 120V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003APG,CN

partiture parte: 4401

Tipu di transistore: 7 NPN Darlington, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 50µA, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

partiture parte: 6508

Tipu di transistore: 2 NPN (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-GR,LF

partiture parte: 151500

Tipu di transistore: NPN, PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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ULN2803AFWG,C,EL

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803AFWG,C,EL

partiture parte: 4471

Tipu di transistore: 8 NPN Darlington, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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HN1C03F-B(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03F-B(TE85L,F)

partiture parte: 9945

Tipu di transistore: 2 NPN (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 300mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 20V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FYTE85LF

partiture parte: 111105

Tipu di transistore: 2 NPN (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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HN1B04F(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04F(TE85L,F)

partiture parte: 4492

Tipu di transistore: NPN, PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 30V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

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ULN2003AFWG,O,N,E

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003AFWG,O,N,E

partiture parte: 4430

Tipu di transistore: 7 NPN Darlington, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 50µA, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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HN4B01JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B01JE(TE85L,F)

partiture parte: 76

Tipu di transistore: NPN, PNP (Emitter Coupled), Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10MA, 100MA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803APG,CN

partiture parte: 4464

Tipu di transistore: 8 NPN Darlington, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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HN3C51F-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-BL(TE85L,F

partiture parte: 4503

Tipu di transistore: 2 NPN (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 120V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y,LF

partiture parte: 9904

Tipu di transistore: NPN, PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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