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Diodi - Zener - Single

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CRZ13(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ13(TE85L,Q,M)

partiture parte: 99

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 13V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 9V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRZ20(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ20(TE85L,Q,M)

partiture parte: 140

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 20V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 14V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRZ36(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ36(TE85L,Q,M)

partiture parte: 137

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 36V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 28.8V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRY62(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY62(TE85L,Q,M)

partiture parte: 176

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Tulleranza: ±9.68%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 60 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 3V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRZ16(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ16(TE85L,Q,M)

partiture parte: 141

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 16V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 11V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRZ30(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q,M)

partiture parte: 172

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 30V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 21V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRZ24(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ24(TE85L,Q,M)

partiture parte: 86

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 24V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 17V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRZ22(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q,M)

partiture parte: 127

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 22V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 16V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRZ10(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q,M)

partiture parte: 153

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 10V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 6V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRZ11(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q,M)

partiture parte: 98

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 11V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 7V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRZ27(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ27(TE85L,Q,M)

partiture parte: 114

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 27V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 19V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRZ18(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q,M)

partiture parte: 118

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 18V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 13V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRZ12(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q,M)

partiture parte: 89

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 12V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 8V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRZ47(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q,M)

partiture parte: 142

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 47V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 65 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 37.6V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRZ15(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ15(TE85L,Q,M)

partiture parte: 173943

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 15V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 10V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRZ43(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ43(TE85L,Q,M)

partiture parte: 170

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 43V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 40 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 34.4V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRZ39(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ39(TE85L,Q,M)

partiture parte: 150

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 39V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 35 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 31.2V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRZ10(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q)

partiture parte: 8202

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 10V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 6V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRZ22(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q)

partiture parte: 3906

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 22V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 16V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRZ47(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q)

partiture parte: 8171

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 47V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 65 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 37.6V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRZ30(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q)

partiture parte: 8174

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 30V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 21V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRZ33(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ33(TE85L,Q,M)

partiture parte: 5464

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 33V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 26.4V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRZ12(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q)

partiture parte: 8245

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 12V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 8V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRZ11(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q)

partiture parte: 8173

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 11V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 7V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRY68(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY68(TE85L,Q,M)

partiture parte: 152718

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 60 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 3V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRY82(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY82(TE85L,Q,M)

partiture parte: 127852

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 4.9V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRY75(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY75(TE85L,Q,M)

partiture parte: 138193

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 4.5V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRY91(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY91(TE85L,Q,M)

partiture parte: 5349

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 5.5V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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CRZ18(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q)

partiture parte: 5364

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 18V, Tulleranza: ±10%, Potenza - Max: 700mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 13V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA,

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