Transistori - FET, MOSFET - Unicu

2SJ377(TE16R1,NQ)

2SJ377(TE16R1,NQ)

partiture parte: 9742

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 2.5A, 10V,

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2SJ668(TE16L1,NQ)

2SJ668(TE16L1,NQ)

partiture parte: 6005

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2.5A, 10V,

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2SK2989,F(J
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2SJ360(TE12L,F)

2SJ360(TE12L,F)

partiture parte: 9333

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 500mA, 10V,

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2SK3127(TE24L,Q)

2SK3127(TE24L,Q)

partiture parte: 9296

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 25A, 10V,

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2SK3565(Q,M)

2SK3565(Q,M)

partiture parte: 9308

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 900V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3A, 10V,

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2SK2995(F)

2SK2995(F)

partiture parte: 9358

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 250V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 15A, 10V,

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2SK1828TE85LF

2SK1828TE85LF

partiture parte: 117993

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 50mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 Ohm @ 10mA, 2.5V,

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TK46A08N1,S4X

TK46A08N1,S4X

partiture parte: 46677

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 80V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 46A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 23A, 10V,

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TK10A60W,S4VX

TK10A60W,S4VX

partiture parte: 23808

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 9.7A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 4.9A, 10V,

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TK6A80E,S4X

TK6A80E,S4X

partiture parte: 35252

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 800V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 3A, 10V,

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TK14E65W,S1X

TK14E65W,S1X

partiture parte: 21734

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 13.7A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 6.9A, 10V,

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TK100A08N1,S4X

TK100A08N1,S4X

partiture parte: 17736

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 80V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 50A, 10V,

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TK10Q60W,S1VQ

TK10Q60W,S1VQ

partiture parte: 24130

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 9.7A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 4.9A, 10V,

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TK20A60W5,S5VX

TK20A60W5,S5VX

partiture parte: 19921

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 10A, 10V,

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TK8A10K3,S5Q

TK8A10K3,S5Q

partiture parte: 43095

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 10V,

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TK31J60W,S1VQ

TK31J60W,S1VQ

partiture parte: 7966

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 30.8A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 15.4A, 10V,

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TK17N65W,S1F

TK17N65W,S1F

partiture parte: 18906

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 17.3A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 8.7A, 10V,

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TK16C60W,S1VQ

TK16C60W,S1VQ

partiture parte: 15326

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 15.8A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 7.9A, 10V,

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TK39J60W5,S1VQ

TK39J60W5,S1VQ

partiture parte: 6052

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 38.8A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 19.4A, 10V,

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TK58E06N1,S1X

TK58E06N1,S1X

partiture parte: 49572

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 58A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 29A, 10V,

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TK20C60W,S1VQ

TK20C60W,S1VQ

partiture parte: 12631

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 10A, 10V,

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TK56A12N1,S4X

TK56A12N1,S4X

partiture parte: 31925

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 120V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 28A, 10V,

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TK14C65W,S1Q

TK14C65W,S1Q

partiture parte: 22061

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 13.7A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 6.9A, 10V,

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TK40A06N1,S4X

TK40A06N1,S4X

partiture parte: 68488

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 mOhm @ 20A, 10V,

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TK040N65Z,S1F

TK040N65Z,S1F

partiture parte: 720

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 57A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 28.5A, 10V,

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TK8A65D(STA4,Q,M)

TK8A65D(STA4,Q,M)

partiture parte: 27748

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840 mOhm @ 4A, 10V,

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TK62N60X,S1F

TK62N60X,S1F

partiture parte: 6512

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 61.8A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 21A, 10V,

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TK25N60X,S1F

TK25N60X,S1F

partiture parte: 15698

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 7.5A, 10V,

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TK14N65W5,S1F

TK14N65W5,S1F

partiture parte: 21617

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 13.7A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.9A, 10V,

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TK31N60W,S1VF

TK31N60W,S1VF

partiture parte: 7882

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 30.8A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 15.4A, 10V,

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TK100A06N1,S4X

TK100A06N1,S4X

partiture parte: 24380

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 50A, 10V,

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TK62N60W,S1VF

TK62N60W,S1VF

partiture parte: 4505

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 61.8A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 30.9A, 10V,

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TK72A12N1,S4X

TK72A12N1,S4X

partiture parte: 22258

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 120V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 72A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 36A, 10V,

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TK7A60W5,S5VX

TK7A60W5,S5VX

partiture parte: 40734

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 3.5A, 10V,

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TK8A60W5,S5VX

TK8A60W5,S5VX

partiture parte: 38022

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 4A, 10V,

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