Diodi - Raddrizzatori - Matrici | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 2

BAV70,LM

partiture parte: 3367

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 215mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 150mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

BAV99W,LF

partiture parte: 3300

Configurazione Diode: 1 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 150mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 150mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

BAV99,LM

partiture parte: 3315

Configurazione Diode: 1 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 215mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 150mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S02JE(TE85L,F)

partiture parte: 151

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S01FUTE85LF

partiture parte: 111

Configurazione Diode: 3 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 10V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02F(TE85L,F)

partiture parte: 99

Configurazione Diode: 2 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D01F(TE85L,F)

partiture parte: 125

Configurazione Diode: 2 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV99,LM

partiture parte: 196401

Configurazione Diode: 1 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 150mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TRS12N65D,S1F

partiture parte: 12490

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 6A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 6A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FTE85LF

partiture parte: 146

Configurazione Diode: 3 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 80mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TRS16N65D,S1F

partiture parte: 10959

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 8A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01JE(TE85L,F)

partiture parte: 109

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54C,LM

partiture parte: 106201

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 140mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 580mV @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D03FTE85LF

partiture parte: 105421

Configurazione Diode: 2 Pair CA + CC, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D03FU,LF

partiture parte: 159197

Configurazione Diode: 2 Pair CA + CC, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 80mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV70,LM

partiture parte: 171499

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 215mA, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

TRS24N65D,S1F

partiture parte: 8001

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 12A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

TRS20N65D,S1F

partiture parte: 7444

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D01FE(TE85L,F)

partiture parte: 191091

Configurazione Diode: 2 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03FUTE85LF

partiture parte: 124987

Configurazione Diode: 3 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 50mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 50mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D04FUTE85LF

partiture parte: 130979

Configurazione Diode: 2 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02FU(T5L,F,T)

partiture parte: 4548

Configurazione Diode: 2 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FU(TE85L,F)

partiture parte: 166431

Configurazione Diode: 3 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 80mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D03F(TE85L,F)

partiture parte: 170816

Configurazione Diode: 3 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CVJ10F30,LF

partiture parte: 16260

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 570mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02FU,LF

partiture parte: 191404

Configurazione Diode: 2 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TBAW56,LM

partiture parte: 127689

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 215mA, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03T(TE85L)

partiture parte: 4160

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 50mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 50mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03FE(TE85L,F)

partiture parte: 4087

Configurazione Diode: 3 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 50mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 50mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

U20DL2C48A(TE24L,Q

partiture parte: 3899

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 980mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54A,LM

partiture parte: 120020

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 580mV @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54S,LM

partiture parte: 167920

Configurazione Diode: 1 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 580mV @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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