Transistori - Bipolari (BJT) - Matrici, Pre-Biased

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Transistori - Bipolari (BJT) - Matrici, Pre-Biased

RN4908(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4908(T5L,F,T)

partiture parte: 1464

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2510(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2510(TE85L,F)

partiture parte: 165485

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2963FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2963FE(TE85L,F)

partiture parte: 1465

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1971TE85LF

partiture parte: 155643

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2702TE85LF

partiture parte: 1499

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN1970(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1970(TE85L,F)

partiture parte: 141176

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN4904,LF

partiture parte: 127121

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2904FE,LF

partiture parte: 157116

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2969FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2969FE(TE85L,F)

partiture parte: 1479

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1902T5LFT

partiture parte: 1369

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN2906(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2906(T5L,F,T)

partiture parte: 1511

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN49A1(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN49A1(T5L,F,T)

partiture parte: 1486

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1911(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1911(T5L,F,T)

partiture parte: 1493

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN4909(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4909(T5L,F,T)

partiture parte: 1458

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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RN1673(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1673(TE85L,F)

partiture parte: 1534

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN1606(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1606(TE85L,F)

partiture parte: 9937

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN4611(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4611(TE85L,F)

partiture parte: 141210

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2909(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2909(T5L,F,T)

partiture parte: 3152

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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RN1704JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1704JE(TE85L,F)

partiture parte: 146002

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1966FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1966FE(TE85L,F)

partiture parte: 140649

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN4605(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4605(TE85L,F)

partiture parte: 128492

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1907,LF

partiture parte: 1491

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN4991(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4991(T5L,F,T)

partiture parte: 171762

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN1906(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1906(T5L,F,T)

partiture parte: 1452

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2967FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2967FE(TE85L,F)

partiture parte: 1533

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN4981,LF(CT

partiture parte: 159039

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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RN2904(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2904(T5L,F,T)

partiture parte: 3155

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2970FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2970FE(TE85L,F)

partiture parte: 1533

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1904FE,LF(CT

partiture parte: 146960

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2506(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2506(TE85L,F)

partiture parte: 140285

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2909FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2909FE(TE85L,F)

partiture parte: 142836

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2904,LF

partiture parte: 1534

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2971FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2971FE(TE85L,F)

partiture parte: 1487

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2902FE,LF(CT

partiture parte: 175632

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN4907(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4907(T5L,F,T)

partiture parte: 1537

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1965FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1965FE(TE85L,F)

partiture parte: 1382

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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