Transistori - Bipolari (BJT) - Singuli | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 11

2SC2229-Y,F(J

partiture parte: 6978

Tipu di transistore: NPN, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 150V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(TE6,F,M)

partiture parte: 6957

Tipu di transistore: NPN, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 150V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6SAN2FM

partiture parte: 7016

Tipu di transistore: NPN, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 150V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6ONK1FM

partiture parte: 6992

Tipu di transistore: NPN, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 150V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP1,F,M

partiture parte: 6990

Tipu di transistore: NPN, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 150V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SAN2,F,M

partiture parte: 7022

Tipu di transistore: NPN, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 150V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP,F,M)

partiture parte: 7021

Tipu di transistore: NPN, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 150V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT,F,M)

partiture parte: 6703

Tipu di transistore: NPN, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 150V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT1,F,M

partiture parte: 6975

Tipu di transistore: NPN, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 150V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SHP1FM

partiture parte: 7020

Tipu di transistore: NPN, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 150V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(TE6,F,M)

partiture parte: 7022

Tipu di transistore: NPN, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 150V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SAN2FM

partiture parte: 6954

Tipu di transistore: NPN, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 150V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6MIT1FM

partiture parte: 6948

Tipu di transistore: NPN, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 150V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP1,F,M

partiture parte: 6990

Tipu di transistore: NPN, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 150V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP,F,M)

partiture parte: 6947

Tipu di transistore: NPN, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 150V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MITIF,M)

partiture parte: 7035

Tipu di transistore: NPN, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 150V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MIT1F,M)

partiture parte: 7005

Tipu di transistore: NPN, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 150V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229(TE6SAN1F,M

partiture parte: 6999

Tipu di transistore: NPN, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 150V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-O,PASF(M

partiture parte: 7004

Tipu di transistore: NPN, Current - Collector (Ic) (Max): 400mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 80V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-Y,PASF(M

partiture parte: 6754

Tipu di transistore: NPN, Current - Collector (Ic) (Max): 400mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 80V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(M

partiture parte: 6942

Tipu di transistore: PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 3A, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 100V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(J

partiture parte: 6995

Tipu di transistore: PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 3A, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 100V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6YMEF(M

partiture parte: 7000

Tipu di transistore: PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 2A, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 100V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1481(TOJS,Q,M)

partiture parte: 6996

Tipu di transistore: PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 4A, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 100V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 2µA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6TOTOF(J

partiture parte: 6949

Tipu di transistore: PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 2A, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 100V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(TE6,F,M)

partiture parte: 6958

Tipu di transistore: PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 2A, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 100V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CNO,A,F)

partiture parte: 6947

Tipu di transistore: PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 2A, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 100V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1375,CLARIONF(M

partiture parte: 6980

Tipu di transistore: PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 3A, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 60V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 2A, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CANO,F,M

partiture parte: 7012

Tipu di transistore: PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 2A, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 100V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6KOJPF(J

partiture parte: 6968

Tipu di transistore: PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 800mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 120V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6F(J

partiture parte: 7012

Tipu di transistore: PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 800mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 120V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,SWFF(M

partiture parte: 6956

Tipu di transistore: PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 800mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 120V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,F(J

partiture parte: 6980

Tipu di transistore: PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 800mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 120V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(T6CANO,FM

partiture parte: 6968

Tipu di transistore: PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 800mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 120V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(F,M)

partiture parte: 7009

Tipu di transistore: PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 800mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 120V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O,F(J

partiture parte: 6956

Tipu di transistore: PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 800mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 120V, Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corrente - Cutoff Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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