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Transistori - Bipolari (BJT) - Singuli, Pre-Pregiu

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RN2404TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2404TE85LF

partiture parte: 1976

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1402S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1402S,LF

partiture parte: 1953

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN2104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104MFV,L3F

partiture parte: 1980

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2402S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2402S,LF(D

partiture parte: 1961

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN2106(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106(T5L,F,T)

partiture parte: 1986

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1104CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104CT(TPL3)

partiture parte: 1925

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 20V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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RN2111CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111CT(TPL3)

partiture parte: 2043

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 20V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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RN1105ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105ACT(TPL3)

partiture parte: 1932

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1406S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1406S,LF(D

partiture parte: 1944

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1108(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108(T5L,F,T)

partiture parte: 2027

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108ACT(TPL3)

partiture parte: 1975

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1316,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1316,LF

partiture parte: 199880

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN2113CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2113CT(TPL3)

partiture parte: 1959

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 20V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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RN1108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108ACT(TPL3)

partiture parte: 1901

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2112,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112,LF(CT

partiture parte: 9941

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2103MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103MFV,L3F

partiture parte: 1966

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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RN1103CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103CT(TPL3)

partiture parte: 1955

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 20V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

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RN1413(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1413(TE85L,F)

partiture parte: 169265

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN1111ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111ACT(TPL3)

partiture parte: 1945

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2118(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2118(T5L,F,T)

partiture parte: 1956

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN1108CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108CT(TPL3)

partiture parte: 1979

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 20V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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RN1106ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106ACT(TPL3)

partiture parte: 2028

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2102ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2102ACT(TPL3)

partiture parte: 1977

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN2104CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104CT(TPL3)

partiture parte: 1987

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 20V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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RN1109CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109CT(TPL3)

partiture parte: 1950

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 20V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

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RN2104ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104ACT(TPL3)

partiture parte: 2045

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2103CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103CT(TPL3)

partiture parte: 3230

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 20V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

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RN1104ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104ACT(TPL3)

partiture parte: 1956

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2303(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2303(TE85L,F)

partiture parte: 126325

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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RN2107ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107ACT(TPL3)

partiture parte: 2063

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1441ATE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1441ATE85LF

partiture parte: 176769

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 300mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 20V, Resistenza - Base (R1): 5.6 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

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RN2108CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108CT(TPL3)

partiture parte: 2026

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 20V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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RN1101ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101ACT(TPL3)

partiture parte: 1962

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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RN1102MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102MFV,L3F

partiture parte: 120698

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN1414,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1414,LF

partiture parte: 112225

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN2313(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2313(TE85L,F)

partiture parte: 163677

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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