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Transistori - Bipolari (BJT) - Singuli, Pre-Pregiu

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RN1104,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104,LF(CT

partiture parte: 176974

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1116MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1116MFV,L3F

partiture parte: 1741

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN2110ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110ACT(TPL3)

partiture parte: 116110

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN1309,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1309,LF

partiture parte: 1726

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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RN2112ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112ACT(TPL3)

partiture parte: 133617

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN1119MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1119MFV,L3F

partiture parte: 1717

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2421(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2421(TE85L,F)

partiture parte: 103457

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 800mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 1 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

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RN1301,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1301,LF

partiture parte: 114770

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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RN2113ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2113ACT(TPL3)

partiture parte: 192815

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN1113MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113MFV,L3F

partiture parte: 1776

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2105ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105ACT(TPL3)

partiture parte: 181928

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2111ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111ACT(TPL3)

partiture parte: 185360

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN1132MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1132MFV,L3F

partiture parte: 1709

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 200 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN1115MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1115MFV,L3F

partiture parte: 116839

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN2103ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103ACT(TPL3)

partiture parte: 125855

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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RN1118MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1118MFV,L3F

partiture parte: 3186

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN1406,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1406,LF

partiture parte: 138320

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2109MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109MFV,L3F

partiture parte: 1723

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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RN1402,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1402,LF

partiture parte: 154084

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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